IBM a anunţat un nou tip de memorie non-volatilă

IBM a anunţat un nou tip de memorie non-volatilă, capabilă să atingă viteze de 100 de ori mai mari decât memoria NAND Flash tradiţională, la operaţiile de scriere şi citire a datelor.

Acest tip de memorie este bazat pe o variaţie a tehnologiei phase change (PCM), al cărei principiu de funcţionare presupune aplicarea unei mici sarcini electrice asupra unui aliaj format din materiale cu proprietăţi speciale, prin care acesta este încălzit şi trecut fie în stare cristalină, sau amorfă. Noua stare de agregare este menţinută chiar şi în lipsa alimentării cu energie electrică şi poate fi folosită pentru interpretarea în sistem binar a valorii 1 sau 0. Versiuni mai avansate ale tehnologiei phase change permit memorarea a până la patru stări distincte, dublând practic densitatea de stocare. Citirea informaţiilor este făcută aplicând un curent electric cu intensitate redusă şi măsurând apoi conductivitatea fiecărei celule – redusă în stare amorfă şi crescută în stare cristalină.

Sursa : go4it.ro

Leave a Reply

Fill in your details below or click an icon to log in:

WordPress.com Logo

You are commenting using your WordPress.com account. Log Out / Change )

Twitter picture

You are commenting using your Twitter account. Log Out / Change )

Facebook photo

You are commenting using your Facebook account. Log Out / Change )

Google+ photo

You are commenting using your Google+ account. Log Out / Change )

Connecting to %s